R>.
. 摘要 .
. 在一个众所周知的半导体激光器内,由各自厚度均小于电子的德布罗意波长的阻挡层和激活层或势井层所组成的一种多量子井型激活层被掺入一种杂质,而且在阻挡层内所形成的杂质密度高于势井层中的密度.在多量子井激活层被包围在P_型和n_型敷层之间的情况下,势井层不进行掺杂,位于与势井层相接触的阻挡层部分也不进行掺杂,使接近P_型敷层的其余阻挡层部分成为n_型电导率,同时,使靠近n_型敷层的阻挡层部分成为P_型电导率.
. 主权项 .
. 在一个半导体激光器中，其中半导体层被生长在一个半导体衬底上，该半导体层至少包含有一个敷层和一个或多个激活层，它是与一个或多个阻挡层或一个多量子井型激活层伴随在一起进行沉积的，在量子井型激活层中，一个势井层和一个阻挡层交替沉积，而且在那里，激活层的厚度小于晶体内自由电子的波包，这种半导体激光器的特点是上述激活层掺有一种杂质。
.
.
中国科技资讯网
.
|
