一种形成低电容半导体器件的方法及其结构<%=id%>

. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 张浩
.
. 摘要　.
.在一个实施例中，形成一个带有栅极结构的晶体管，其栅极结构上具有一个开口。一个绝缘体至少在该开口的侧壁上形成，并且在该绝缘体上形成一个导体。
. 主权项　.
.1、一种形成半导体器件的方法，包括：提供具有第一表面的第一导电型衬底；在衬底的第一表面的至少第一部分上形成第一导电型的第一源极区域和第二源极区域，其中第二源极区域和第一源极区域分开；形成覆盖衬底的第一表面的棚极结构，该栅级结构的第一末端覆盖第一源极区域的边缘，该栅极结构的第二末端覆盖第二源极区域的边缘，其中该栅极结构的第一表面和该衬底的第一表面大致平行，并且背对该衬底的第一表面；在栅极结构中形成一个开口，位于第一源极区域和第二源极区域之间的衬底的第二部分的上方；至少在所述开口的侧壁上形成绝缘体；在所述绝缘体上和所述开口内形成导体。.
.
中国科技资讯网
.

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明