硅的多重吸杂技术及多重吸杂硅片<%=id%>

重吸杂技术及用多重吸杂技术所获得的多重吸杂硅衬底片.多重吸杂技术主要由磷扩散及多层外延组成的技术.用多重吸杂技术所获之硅片具有杂质吸杂、缺陷吸杂和多晶晶界吸杂,该硅片适于用作电荷耦合器件、光电探测器件、MOS型和TTL型大中小规模集成电路和各种硅单元器件的衬底片.多重吸杂技术简单、适用、成本低,用多重吸杂硅片所作器件结构性好、暗电流小、成品率高.
. 主权项　.
. 一种多重吸杂硅片，它具有衬底层［５］，高浓度磷吸杂层［１］，其特征在于多重吸杂硅片还具有多晶吸杂层［３］，高密度缺陷单晶吸杂层［４］，用以增强磷吸杂层［１］及多晶吸杂层［３］的吸杂效果的单晶阻挡层［２］。
.
.
中国科技资讯网
.

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明