理人] 陆丽英
[优先权] US738,593 1985年5月28日
[IPC分类] H03K 17/60
[地址] 美国.纽约州10022
[申请人] 美国电话电报公司
[发明人] 霍瓦德.克雷顿.基施
[发明名称] 〃晶体管-晶体管逻辑到互补型金属-氧化物-半导体〃的输入缓冲器
[摘要] 一种ＴＴＬ到ＣＭＯＳ输入缓冲器，当ＴＴＬ输入信号是相当低的逻辑１时，该缓冲器能阻止静态电流流过．突变检测器对ＴＴＬ逻辑输入信号起作用，连通在正电源Ｖ－［ＤＤ］和ＣＭＯＳ第一反相器（３０）的输入端之间的电压提升电路，检测输入信号从＂０＂到＂１＂的突变，并把ＴＴＬ逻辑１信号提升到能阻止ＣＭＯＳ反相器中的Ｐ沟道晶体管（３２）导通的电平．然后，电压提升电路与此管的输入端断开，侠此输入端不被正电流充电．
[权项] 一种“ＴＴＬ到ＣＭＯＳ”的输入缓冲器，用来接收一种具有相联的ＴＴＬ电压电平的第一（“０”）和第二（“１”）逻辑状态之一的输入信号，提供相联的ＣＭＯＳ电压电平的相应输出逻辑信号，它包括： ＣＭＯＳ第一反相器（３０），它对上述ＴＴＬ输入逻辑信号起作用，产生相反逻辑状态的第一ＣＭＯＳ逻辑信号作为输出信号； ＣＭＯＳ第二反相器（３８），它对上述ＣＭＯＳ第一反相器产生的第一ＣＭＯＳ逻辑信号起作用，提供一个与上述ＴＴＬ输入逻辑信号的逻辑状态相同的第二ＣＭＯＳ逻辑信号作为输出信号； 其特征在于： 突变检测器（４４），它对上述ＴＴＬ输入逻辑信号和第二ＣＭＯＳ逻辑信号两者起作用，产生一个突变输出控制信号作为输出信号；和 电压提升装置（５０），它对上述第二ＣＭＯＳ逻辑信号和上述突变输出控制信号起作用，当上述ＴＴＬ输入逻辑信号从第一逻辑状态变成第二逻辑状态时，在上述第一ＣＭＯＳ反相器的输入端提供一个增压信号。
[审批历史] 因费用终止日2001年7月25日
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