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坪井真三. 国. 际 申 请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 永新专利商标代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 王 英
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. 摘要 .
.一种半导体装置(3)，其中基本上整个沟道区(18)为局部耗尽型，包括在基板(10)的一个表面侧上设置的半导体层(14)，在半导体层(14)中设置的具有第一导电类型的沟道区(18)，在半导体层中设置的具有第二导电类型的高浓度扩散区(28、30)，该高浓度扩散区与沟道区相邻，面向沟道区的两侧，并且相互分离，与沟道区(18)连接以固定沟道区(18)电位的具有第一导电类型的体端子(32)，在沟道区(18)上设置的绝缘体(34)，设置在绝缘体(34)上以覆盖沟道区(18)的栅极电极(36)，以及布置在沟道区的端部(22)以及也在半导体层(14)的端部并且其中包含具有第一导电类型的杂质的沟道边缘部分。
. 主权项 .
.1、一种半导体装置，其特征在于包括： 在基板的一个表面侧上设置的半导体层； 在所述半导体层中设置的具有第一导电类型的沟道区； 在该半导体层中设置的具有第二导电类型的高浓度扩散区，所述高浓度扩散区与所述沟道区相邻，面向所述沟道区的两侧，并且相互分离； 具有第一导电类型的体端子，该端子与所述沟道区连接以固定所述沟道区的电位； 在所述沟道区上设置的绝缘体； 设置在所述绝缘体上以覆盖所述沟道区的栅极电极；以及 布置在所述沟道区的端部同时也是布置在所述半导体层的端部，并且其中包含具有第一导电类型的杂质的沟道边缘部分。.
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