薄膜晶体管基板及其制造方法<%=id%>

........ 址：. 韩国京畿道
发明 (设计)人：. 尹柱善. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京市柳沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 陶凤波;侯宇
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. 摘要　.
.提供了一种具有改进的栅极线结构的薄膜晶体管基板及其制造方法，其中在形成具有双层结构的栅极线的过程中不会产生底切现象，该方法包括：形成第一金属层，第一金属层由从下述集合中选出的至少一种低电阻材料构成：Al、AlNd、Cu和Ag；在第一金属层上形成第二金属层，第二金属层由从下述集合中选出的至少一种耐热、耐蚀刻材料构成：Cr、CrNx、Ti、Mo 和MoW；在第二金属层上形成蚀刻掩模，采用蚀刻掩模依次对第二金属层和第一金属层进行蚀刻，分别形成第二金属层图案和第一金属层图案；以及利用蚀刻掩模对第二金属层图案进行有选择地再次蚀刻，从而使第二金属层图案的宽度小于或者基本等于第一金属层图案的宽度，并最终完成栅极线的制作。
. 主权项　.
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