衬底的表面处理方法及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的制造方法<%=id%>

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专利代理机构：.. 中原信达知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 王海川;樊卫民
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. 摘要　.
.本发明提供衬底的表面处理方法和III-V族化合物半导体的制造方法，其中由III-V族半导体化合物制成的衬底是化学计量的，并减小了外延生长后表面的微观粗糙度。该方法包括制备由III-V族化合物半导体制成的衬底的步骤(S10)，及以pH调至2～6.3(含端值)的酸性且加入了氧化剂的清洗溶液对衬底进行清洗的清洗步骤(S20)。
. 主权项　.
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