形成存储单元阵列的方法和存储单元阵列<%=id%>

代.. 理.. 人：. 张雪梅;刘宗杰
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. 摘要　.
.本案揭露一种形成存储单元阵列的方法，该存储单元包括多数存储单元，各存储单元都包含一沟渠电容器与一晶体管。在一实施例中，於定义该绝缘沟渠与对应有源区之後形成该晶体管的期间，提供一栅极，其包括在该绝缘沟渠中邻近一沟道的部分蚀刻一隔离材料，使得该沟道的一部分成为未覆盖，该未覆盖部分具有一种包含一顶部侧与两侧向侧的脊形状，在该顶部侧与两侧向侧上提供一栅极隔离层，在该栅极隔离层上提供一传导材料，使得该栅极是沿著该沟道的顶部侧与两侧向侧上设置，其中在该绝缘沟渠中隔离材料蚀刻是利用局部蚀刻该隔离材料的方式执行，其中在该隔离沟槽上方部分中的隔离材料乃加以主动维持，而该隔离沟槽则将有源区彼此分离。
. 主权项　.
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