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    化合物半导体外延基板的制造方法<%=id%>
    ：. 2006.05.10
    专利 代理 机构：.. 中科专利商标代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 朱 丹
    .
    . 摘要　.
    .本发明提供一种凹状缺陷少的化合物半导体外延基板的制造方法。化合物半导体外延基板的凹状缺陷生成的抑制方法，其包括如下所述工序，即：在InP单结晶基板、或与InP单结晶基板晶格整合的外延层上，在V/III 比：10～100、成长温度：630℃～700℃、成长速度：0.6μm/h～2μm/h 的条件下，通过外延成长，而形成InGaAs层。
    . 主权项 　.
    .
    .
         

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