|
|
|
|
|
|
|
|
05-05-06 WO2005/041283 日 进入国家日期：. 2006.04.27
专利 代理 机构：.. 中原信达知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 林宇清;谢丽娜
.
. 摘要 .
.当氮化物半导体单晶晶片被抛光时，产生加工-变换层。为了除去加工-变换层，需要刻蚀。但是，氮化物半导体材料在化学上是惰性的，不存在适合的刻蚀。尽管提出了例如，氢氧化钾或硫酸作为GaN刻蚀剂，但是它们从Ga表面腐蚀地除去材料是弱的。为了除去加工-变换层，进行利用卤素等离子体的干法刻蚀。可以用卤素等离子体刻蚀掉Ga表面。然而，由于该干法刻蚀，再次产生由于金属颗粒的表面污染的问题。为了解决该问题，执行湿法刻蚀，利用诸如HF+H2O2，H2SO4+H2O2，HCl+H2O2或HNO3的溶液作为刻蚀剂，该刻蚀剂没有选择性，具有刻蚀能力和具有1.2V或更高的氧化还原电位。
. 主权项 .
.
.
中国科技资讯网
.
|
|
|
|
|
设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明
Copyriht 2007 - 2008 © 科普之友 All right reserved |
