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开放漏极驱动器及包括该开放漏极驱动器的开关电路<%=id%> |
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家日期:.. 专利 代理 机构:.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人:. 秦 晨 . . 摘要 . .一种开放漏极驱动器(7)选择地将无源地保持在导通状态的 MOSFET开关(MN1)切换到非导通状态。该MOSFET开关(MN1)将主输入端(3)上的AC模拟输入信号切换到主输出端(4),并且MOSFET 开关(MN1)的栅极通过电容器(C1)与其漏极AC耦合。该开放漏极驱动器(7)包括第一MOSFET(MN2)和第二MOSFET(MN3),通过它,将MOSFET开关(MN1)的栅极拉引到地(Vss)。第一MOSFET(MN2) 的栅极与电源电压(VDD)耦合,用于将第一MOSFET(MN2)保持在开放状态。向第二MOSFET(MN3)的栅极施加控制信号,用于选择地使开放漏极驱动器(7)工作处于导通状态,从而使MOSFET(MN3)工作处于非导通状态。当第二MOSFET(MN3)处于非导通状态时,第一 MOSFET(MN2)保持在导通状态,直到第一和第二 MOSFET(MN2,MN3)之间的耦合节点上的电压等于其栅极电压与其阈值电压之差为止,并且施加给MOSFET开关(MN1)的栅极的任何过电压都被第一和第二MOSFET(MN2,MN3)分压。 . 主权项 . .权利要求书 1.一种开放漏极驱动器,包括: 第一晶体管,其具有源极,与驱动器的输出节点耦合的漏极,和与偏置电压节点耦合的栅极,该偏置电压节点接收偏置电压,用于使第一晶体管保持导通状态,同时使其栅极与源之间的电压差大于或等于第一晶体管的阈值电压, 第二晶体管,其具有通过耦合节点与第一晶体管的源极耦合的漏极,与用于接收开关电压的开关电压节点耦合的源极,和与控制节点耦合的栅极,该控制节点用于接收控制信号,以便操作第二晶体管选择地和交替地处于非导通状态和导通状态,其中当第二晶体管处于非导通状态时,使得输出节点处于高阻抗状态,处于导通状态时,使得在第一晶体管处于导通状态时,将开关电压节点上的开关电压施加到输出节点,和 耦合元件,其将耦合节点耦合到参考电压节点上,该参考电压节点用于接收参考电压,从而在第二晶体管处于非导通状态时,限制耦合节点上的电压,使得施加给第二晶体管的漏-源电压处于第二晶体管的可靠性极限之内。.
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