半导体装置及其制作方法和用于写入存储元件的方法<%=id%>

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主分类号: 　.. .H01L45/00(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

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分类号: 　.. .H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I..

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优先权: 　.. .2005.5.20 JP 2005-147599..

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申请（专利权）人: 　.. .株式会社半导体能源研究所..

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地址: 　.. .日本神奈川县厚木市..

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发明（设计）人: 　.. .山崎舜平..

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国际申请: 　.. ...

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国际公布: 　.. ...

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进入国家日期: 　.. ...

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专利代理机构: 　.. .中国专利代理(香港)有限公司..

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代理人: 　.. .刘红;梁永..

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分案申请号: 　.. ... 国省代码: 　.. .日本;JP..

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颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0647-1..

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摘要: 　..

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本发明的目标在于以低成本和高成品率提供较高性能和较高可靠性的存储装置以及配置有该存储装置的半导体装置。本发明的半导体装置具有存储元件，该存储元件包括位于第一和第二导电层之间的有机化合物层和绝缘层。当熔化时，由于有机化合物的表面张力，有机化合物层的有机化合物聚集。通过向第一和第二导电层施加电压，执行对存储元件的写入。　..

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主权项: 　..

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权利要求书 1.一种包括存储元件的半导体装置，该存储元件包括绝缘层和有机化合物层，所述绝缘层和有机化合物层提供在第一导电层和第二导电层之间，其中当有机化合物熔化时，由于有机化合物的表面张力，有机化合物层的有机化合物聚集；以及通过向第一和第二导电层施加电压来执行对存储元件的写入。 ..

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