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4-09-24 PCT/JP2004/014461
国. 际. 公. 布：. 2005-04-14 WO2005/034301 日 进入国家日期：. 2006.03.27
专利 代理 机构：.. 中科专利商标代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 汪惠民
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. 摘要 .
.本发明的氮化物半导体元件包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层。p型氮化物半导体层具有：包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层、包含Mg的第二p型氮化物半导体层。第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间，第二p型氮化物半导体层具有比第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。
. 主权项 .
.权利要求书 1.一种氮化物半导体元件，包括：p型氮化物半导体层、n型氮化物半导体层以及夹持在所述p型氮化物半导体层和所述n型氮化物半导体层之间的激活层，其中， 所述p型氮化物半导体层具有： 包含Al和Mg的第一p型氮化物半导体层；和 包含Mg的第二p型氮化物半导体层， 所述第一p型氮化物半导体层位于所述激活层和所述第二p型氮化物半导体层之间， 所述第二p型氮化物半导体层具有比所述第一p型氮化物半导体层的能带间隙大的能带间隙。.
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中国科技资讯网
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