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际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 中科专利商标代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 刘 建
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. 摘要 .
.提供一种半导体存储装置，由具有沟槽部(1a)的基板(1)、隔着绝缘膜(2)而被配设在与沟槽部(1a)邻接的基板(1)上的选择栅极(3)、被设置在选择栅极(3)下的基板(1)表面上的第一阱(1b)、隔着绝缘膜(8)而被配设在沟槽部(1a)的底部至侧壁部表面上的浮置栅极(6)、被设置在浮置栅极(6)下的沟槽部(1a)底部表面上的第二阱(1c)、被设置在沟槽部(1a)底部表面上的第一扩散区域(7a)、隔着绝缘膜(8) 而被配设在浮置栅极(6)之上的控制栅极(11)构成一个单位单元，相对于选择栅极(3)，将沟槽部(1a)的侧壁面至底面附近作为沟道，第一阱(1b)的杂质浓度在第二阱(1c)的杂质浓度以下。
. 主权项 .
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中国科技资讯网
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