具有垂直定向的栅电极的场效应晶体管及其制造方法<%=id%>

地......... 址：. 韩国京畿道
发明 (设计)人：. 金成玟;朴东建;金洞院;金旻相;尹恩贞. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 中原信达知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 林宇清;谢丽娜
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. 摘要　.
.在半导体器件及其制造方法中，在公用半导体层上形成平面型存储器件和垂直定向薄体器件。例如，在半导体器件中，期望具有器件的外围区中的平面型晶体管和单元区中的垂直定向薄体晶体管器件。以这种方式，可以将每种类型的器件的优势应用到存储器件的适宜功能中。
. 主权项　.
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