具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法<%=id%>

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申请(专利权)人：.. 海力士半导体有限公司.
地......... 址：. 韩国京畿道
发明 (设计)人：. 吉德信;洪权. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京集佳知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 杨红梅;刘继富
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. 摘要　.
.提供了一种具有纳米复合电介质结构的电容器及其制造方法。所述电容器包括：下电极、纳米复合电介质结构和上电极。通过以纳米组合物形式混合氧化铪(HfO2)层和介电常数等于或大于所述HfO2层的介电常数的电介质层获得所述纳米复合电介质结构。所述电介质层包括选自ZrO2、 La2O3和Ta2O5的材料，每个层具有约25到约30的介电常数和约4.3到约 7.8的带隙能级。
. 主权项　.
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