硅类被处理物的处理方法、装置及半导体器件的制造方法<%=id%>

务所. 代.. 理.. 人：. 陈海红;段承恩
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. 摘要　.
.本发明提供硅类被处理物的处理方法，包括：将硅类被处理物暴露于包含氧自由基的等离子体气氛中的工序；和在前述等离子体气氛下通过电阻元件将直流电压施加于前述被处理物而进行氧化的工序。
. 主权项　.
.1.一种硅类被处理物的处理方法，其特征在于，包括：将硅类被处理物暴露于包含氧自由基的等离子体气氛中的工序；及在上述等离子体气氛下，通过电阻元件向上述被处理物施加直流电压进行氧化的工序。.
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