肖特基二极管及制作方法<%=id%>

R>专利代理机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 秦晨
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. 摘要　.
.一种能够承受大于250伏的电压的肖特基二极管及其制作方法。 N型导电性的外延层置于N型导电性的半导体衬底上。P型导电性的保护环从外延层表面延伸到其内部。在保护环的一部分和外延层的一部分上形成堆叠结构。堆叠结构包括置于一层介电材料上的一层半绝缘半导体材料。在外延层与堆叠结构的第一侧面相邻的部分上和堆叠结构的第一部分上形成第一金属层。在外延层与堆叠结构的第二侧面相邻的部分上和堆叠结构的第二部分上形成第二金属层。
. 主权项　.
.1.一种制作具有至少250V击穿电压的肖特基二极管的方法，包括：提供具有主表面的半导体材料，该半导体材料为第一导电类型；在该半导体材料中形成第二导电类型的保护环，其中保护环从主表面延伸到半导体材料内；在保护环的一部分的上方形成一层半绝缘半导体材料；以及在主表面的一部分上形成导电材料。.
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