晶体管、其制造方法及电光学装置用基板<%=id%>

司. 代.. 理.. 人：. 汪惠民
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. 摘要　.
.一种晶体管，具备绝缘基板(10)，在绝缘基板(10)上形成的、包含沟道区(100)和源极及漏极区(40a、40b)的半导体膜，在沟道区(100) 上设置的栅电极(32)。而且，半导体膜，具备在所述沟道区(100)和所述源极及极漏区(40a、40b)之间，分别低浓度注入杂质后构成的低浓度区域(70a、70b)；源极及漏极区(40a、40b)，与低浓度区域(70a、70b) 相比，包含高浓度注入杂质的高浓度区域；低浓度区域(70a、70b)的至少一部分，沿着在绝缘基板(10)上形成的槽(10a、10b)的内壁面形成。提供在具备耐压性的同时，还能细微化的晶体管、其制造方法及电光学装置用基板。
. 主权项　.
.1、一种晶体管，其特征在于，具备：支承基板；在所述支承基板上设置的基底绝缘膜上形成的、包含沟道区和源极及漏极区的半导体膜；以及在所述沟道区上设置的栅电极，所述半导体膜，具备在所述沟道区与所述源极及漏极区之间分别低浓度注入杂质后构成的低浓度区域，所述源极及漏极区，与所述低浓度区域相比，包含高浓度注入杂质的高浓度区域，所述低浓度区域的至少一部分，沿着在所述支承基板上形成的槽的内壁面而形成。.
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