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公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 王永刚
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. 摘要 .
.本发明的目的是通过制造步骤减少了的工艺来制造具有LDD区的细小TFT，并制作具有适合于各个电路的结构的TFT。本发明的另一目的是即使在具有LDD区的TFT中，也确保开态电流。借助于形成其中栅电极下层的栅长度大于栅电极上层的栅长度的双层栅电极，来形成帽形栅电极。借助于利用抗蚀剂凹陷宽度而仅仅腐蚀栅电极的上层，来形成帽形栅电极。此外，硅化物被形成在布线与半导体膜的接触部分中，以便降低接触电阻。
. 主权项 .
.1.一种半导体器件，包括： 形成在衬底上的半导体膜，所述半导体膜包括沟道形成区、低浓度杂质区、以及高浓度杂质区； 被形成为使部分高浓度杂质区暴露的栅绝缘膜； 形成在栅绝缘膜上的栅电极，所述栅电极包括第一导电膜和形成在第一导电膜上的第二导电膜； 形成在栅电极侧面上的侧壁； 形成在高浓度杂质区表面上的硅化物层；以及 连接到硅化物层的布线， 其中，栅绝缘膜沿沟道长度方向的侧边缘与侧壁之一的外侧边缘对准； 其中，第一导电膜沿沟道长度方向的长度大于第二导电膜的长度；且 其中，低浓度杂质区与第一导电膜重叠，栅绝缘膜插入其间，且低浓度杂质区不与第二导电膜重叠。.
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中国科技资讯网
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