用从冷阴极电子发射器产生的电子处理和改善目标对象的方法和装置<%=id%>

R>发明 (设计)人：. 相泽浩一;栎原勉;菰田卓哉;池田顺治;马场彻. 国. 际申请：. 2004-11-25 PCT/JP2004/017969
国. 际. 公. 布：. 2005-06-09 WO2005/052978 英进入国家日期：. 2006.03.13
专利代理机构：.. 隆天国际知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 王玉双;高龙鑫
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. 摘要　.
.本发明提供一种使用电子处理和改善目标对象的装置和方法，通过该装置和方法，即使在具有相对宽的表面区域需要处理的时候，也能够在与大气压力基本相等的压力下使用电子均匀且有效地处理和改善目标对象。该方法使用具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力的冷阴极电子发射器，并且优选包括一对电极以及一个包含布置于所述电极之间的纳米晶硅的强场漂移层。通过在所述电极之间施加电压来使目标对象暴露于从该平面电子发射部分中所发射的电子中。优选的是，所发射出的电子的能量从1eV到50keV、优选1eV到100eV的范围中选择。
. 主权项　.
.1.一种使用电子处理和改善目标对象的方法，包括步骤：提供冷阴极电子发射器，其具有根据隧道效应从平面电子发射部分中发射出电子的能力；对所述发射器施加电压使所述平面电子发射部分发射出电子；以及将该目标对象暴露于电子中。.
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