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主分类号: ..
.G01L9/02(2006.01)I..
范畴分类: ..
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分类号: ..
.G01L9/02(2006.01)I;G01P15/12(2006.01)I..
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优先权: ..
.2005.3.31 JP 2005-100933..
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申请(专利权)人: ..
.TDK株式会社..
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地址: ..
.日本东京..
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发明(设计)人: ..
.桑岛哲哉;太田尚城..
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国际申请: ..
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国际公布: ..
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进入国家日期: ..
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专利代理机构: ..
.北京三友知识产权代理有限公司..
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代理人: ..
.黄纶伟..
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分案申请号: ..
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国省代码: ..
.日本;JP..
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颁证日: ..
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光盘号: ..
.D0640-1..
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摘要: ..
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本发明提供一种不受因下部电极和上部电极的热膨胀系数差异而造成的漂移的影响、并且不易受来自外来磁场的影响的具有通用性的穿隧效应元件。所公开穿隧效应元件(1)具有:形成有穿隧势垒的绝缘层(11);形成于绝缘层(11)下面的具有导电性的下部电极(12);形成于绝缘层 (11)上面的具有导电性的上部电极(13);形成于绝缘层(11)、下部电极(12)和上部电极(13)周围,把检测对象物的举动传递给绝缘层 (11)的传递部件(5)。 ..
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主权项: ..
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1.一种穿隧效应元件,其特征在于,具有: 绝缘层,其形成有穿隧势垒; 下部电极,其具有导电性,且形成于所述绝缘层的下表面; 上部电极,其具有导电性,且形成于所述绝缘层的上表面;以及 传递部件,其形成于所述绝缘层、所述下部电极和所述上部电极周围,并把检测对象物的举动传递给所述绝缘层。 ..
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