半导体器件的制造方法、抛光方法及抛光装置<%=id%>

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主分类号: 　.. .H01L21/304(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

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分类号: 　.. .H01L21/304(2006.01)I;B24B37/00(2006.01)I..

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优先权: 　.. .2005.3.30 JP 2005-099890;2005.5.11 JP 2005-138705..

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申请（专利权）人: 　.. .富士通株式会社..

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地址: 　.. .日本神奈川县..

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发明（设计）人: 　.. .白数哲哉..

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国际申请: 　.. ...

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国际公布: 　.. ...

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进入国家日期: 　.. ...

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专利代理机构: 　.. .隆天国际知识产权代理有限公司..

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代理人: 　.. .张龙哺;张浴月..

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分案申请号: 　.. ... 国省代码: 　.. .日本;JP..

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颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0640-1..

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摘要: 　..

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本发明提供一种制造半导体器件的方法、抛光方法及抛光装置，其包括衬底的抛光工艺，其中抛光工艺包括步骤：在使用浆液的同时将化学机械抛光工艺应用到抛光垫上的衬垫，和修整抛光垫的表面，修整步骤包括通过分别具有不同表面状态的至少第一和第二修整盘研磨所述抛光垫的所述表面的步骤。使用本发明，在确保有效的抛光速率的同时，可以实现对将要被处理的衬底表面的极好的平面化，并减少将要被处理的衬底表面的刮痕的出现。　..

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主权项: 　..

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1、一种制造半导体器件的方法，包括衬底的抛光工艺，所述抛光工艺包括步骤：在使用浆液的同时，将化学机械抛光工艺应用到抛光垫上的所述衬垫；和修整所述抛光垫的表面，所述修整步骤包括通过分别具有不同表面状态的至少第一和第二修整盘研磨所述抛光垫的所述表面的步骤。 ..

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