半导体器件的制造方法<%=id%>

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主分类号: 　.. .H01L21/20(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

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分类号: 　.. .H01L21/20(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;B23K26/06(2006.01)I..

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优先权: 　.. .2000.12.26 JP 396315/00..

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申请（专利权）人: 　.. .株式会社半导体能源研究所..

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地址: 　.. .日本神奈川县..

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发明（设计）人: 　.. .田中幸一郎;中嶋节男..

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国际申请: 　.. ...

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国际公布: 　.. ...

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进入国家日期: 　.. ...

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专利代理机构: 　.. .中国专利代理(香港)有限公司..

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代理人: 　.. .梁永..

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分案申请号: 　.. .01125338.X.. 国省代码: 　.. .日本;JP..

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颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0640-1..

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摘要: 　..

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本发明涉及一种半导体器件的制造方法。在与常规装置相比具有低运行成本的激光照射装置和使用这种装置的激光照射方法中，形成具有等于或大于常规粒径的粒径的晶粒的结晶半导体膜，并利用结晶半导体膜制造 TFT，因而实现了能高速操作TFT。在来自作为光源的固体激光器的短输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下，另一激光光束延迟于一个激光光束，并且激光光束合成以便照射到半导体膜上，因而半导体膜的冷却速度缓慢，并且可以形成具有等于或大于具有长输出时间的激光光束照射到半导体膜上的情况下的粒径大的粒径的晶粒的结晶半导体膜。通过用结晶半导体膜制造TFT，可实现能高速操作的TFT。　..

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主权项: 　..

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1、一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：将激光光束分离成至少第一激光光束和第二激光光束，其中第一激光光束被第一薄膜偏振元件反射，第二激光光束穿过所述第一薄膜偏振元件；在第二薄膜偏振元件上合成上述第一激光光束和第二激光光束；和用上述第一激光光束和第二激光光束的合成激光光束照射一个半导体膜，其中叠加比设定为50-98％；和使用所述半导体膜形成一个半导体器件；其中在上述第一薄膜偏振元件和第二偏振元件之间上述第一激光光束的光学路径长度大于在上述第一薄膜偏振元件和第二偏振元件之间所述第二激光光束的光学路径长度。..

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