形成低温生长缓冲层的方法、发光元件及其制造方法和发光器件<%=id%>

;恩卡纳西翁·安东尼亚·加西亚·比略拉;岛村清史. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京集佳知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 顾晋伟;刘继富
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. 摘要　.
.一种形成低温生长缓冲层的方法，包括以下步骤：将Ga2O3衬底置于MOCVD 设备中；在MOCVD设备中提供H2气氛并设定缓冲层生长条件，所述生长条件包括气氛温度为350℃-550℃；和在缓冲层生长条件下，向Ga2O3衬底上供应包含TMG、 TMA和NH3中的两种或更多种的源气，以在Ga2O3衬底上形成低温生长缓冲层。
. 主权项　.
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