分裂栅极存储单元及制造其阵列的方法<%=id%>

. 址：. 韩国京畿道
发明 (设计)人：. 姜盛泽;尹胜范;韩晶昱;田喜锡;崔容硕;徐辅永;权赫基. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京市柳沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 陶凤波;侯宇
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. 摘要　.
.披露了非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法。更具体地说，提供了这样一种分裂栅极储存器件，其具有的架构提供增强的浮置栅极耦合比，由此能够提高写入和擦除效率和性能。
. 主权项　.
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