非易失性存储器件及其制造方法<%=id%>

R>国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 北京市柳沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 陶凤波;侯宇
.
. 摘要　.
.本发明提供了一种适用于形成在半导体衬底上的非易失性存储器件的制造方法和所得到的结构的示范性实施例。栅极结构的示范性实施例包括形成在半导体衬底上的第一绝缘膜，形成在第一绝缘膜上用于储存电荷的储存节点，形成在储存节点上的第二绝缘膜，形成在第二绝缘膜上的第三绝缘膜，和形成在第三绝缘膜上的栅电极。选择绝缘膜使得第二和第三绝缘膜之一或两者的介电常数大于第一绝缘膜的介电常数。
. 主权项　.
.
.

中国科技资讯网
.

设为首页 | 加入收藏 | 广告服务 | 友情链接 | 版权申明