p沟道MOS晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺<%=id%>

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国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 隆天国际知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 张龙哺;张浴月
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. 摘要　.
.本发明提供一种p沟道MOS晶体管、半导体集成电路器件及其制造工艺。该p沟道MOS晶体管包括形成在硅衬底中栅极的各横向侧的p型源极区和漏极区，其中每个p型源极区和漏极区包括任一金属膜区和金属化合物膜区，它们作为内部积累压应力的压应力源。使用本发明，可以实现更大的压应力、相当大的空穴迁移，从而使MOS晶体管的运行速度大幅提高。
. 主权项　.
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