基于动态随机存取存储器核心的多端口存储器<%=id%>

人：.. 富士通株式会社.
地......... 址：. 日本神奈川
发明 (设计)人：. 松崎康郎;铃木孝章;山崎雅文;川崎健一;鎌田心之介. 国. 际申请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利代理机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 王永刚
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. 摘要　.
.半导体存储器件包括数量为N的多个外部端口，每个外部端口都接收指令，和一个内部电路，它在输入到一个外部端口的指令的最小时间间隔中至少实施N次存取操作。
. 主权项　.
.1.一种半导体存储器件，包括：数量为N的多个外部端口，每个外部端口都接收指令；和内部电路，它在输入到一个外部端口的各指令的最小时间间隔期间至少执行N次存取操作，其中所述内部电路包括：基于动态型存储单元实现的单元阵列；和刷新电路，它确定刷新存储单元的定时，其中在第一模式中，响应于输入到N个外部端口中的至少一个端口的刷新指令刷新存储单元，在第二模式中，按所述刷新电路指示的定时刷新存储单元。.
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