半导体装置<%=id%>

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主分类号: 　.. .H01L27/04(2006.01)I.. 范畴分类: 　.. ...

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分类号: 　.. .H01L27/04(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I..

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优先权: 　.. .2005.2.24 JP 049006/05..

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申请（专利权）人: 　.. .三洋电机株式会社..

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地址: 　.. .日本大阪府..

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发明（设计）人: 　.. .神田良;菊地修一;大竹诚治..

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国际申请: 　.. ...

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国际公布: 　.. ...

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进入国家日期: 　.. ...

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专利代理机构: 　.. .北京市柳沈律师事务所..

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代理人: 　.. .陶凤波;杨梧..

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分案申请号: 　.. ... 国省代码: 　.. .日本;JP..

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颁证日: 　.. ... 光盘号: 　.. .D0636-1..

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摘要: 　..

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一种半导体装置，在现有的半导体装置中，存在为保护元件不受过电压影响而设置的N型扩散区域窄，击穿电流集中，保护用PN接合区域被破坏的问题。在本发明的半导体装置中，跨度(2)和外延层(3)上形成有N型埋入扩散层(4)。P型埋入扩散层(5)形成在N型埋入扩散层(4)上面的宽阔的区域，且形成有过电压保护用的PN接合区域(17)。P型扩散层(6) 与P型埋入扩散层(5)连接形成。PN接合区域17的击穿电压比源-漏极间的击穿电压低。根据该结构，可防止击穿电流的集中，且可由过电压保护半导体装置。　..

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主权项: 　..

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1、一种半导体装置，其特征在于，具有：单导电型半导体衬底；反导电型外延层，其形成于所述半导体衬底上；反导电型外延层，其跨度所述半导体衬底和所述外延层形成；单导电型埋入扩散层，其形成于所述反导电型埋入扩散层上，具有与所述反导电型埋入扩散层接合的第一接合区域；单导电型第一扩散层，其形成于所述外延层上，作为反向栅极区域使用；反导电型第一扩散层，其形成于所述单导电型第一扩散层上，作为源极区域使用；栅极氧化膜及栅极电极，其形成于所述外延层上；反导电型第二扩散层，其形成于所述外延层上，作为漏极区域使用，且具有与所述单导电型第一扩散层接合的第二接合区域；反导电型第三扩散层，其形成于所述外延层上，在所述外延层上方与所述反导电型第二扩散层电连接，其中，所述第一接合区域的击穿电压比所述第二接合区域的击穿电压低。 ..

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