通过在含氢气氛中的升华生长减少碳化硅晶体中的氮含量<%=id%>

2004/023859
国. 际. 公. 布：. 2005-02-10 WO2005/012601 英进入国家日期：. 2006.01.26
专利代理机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 蔡胜有
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. 摘要　.
.本发明涉及控制碳化硅晶体中的氮含量，具体的，涉及在碳化硅升华生长过程中减少氮的引入。本发明通过在生长腔室中提供完全的氢环境气氛来控制生长的碳化硅晶体中的氮浓度。从效果上，氢原子可以阻碍，减少或者阻滞氮原子在生长晶体表面上的引入。
. 主权项　.
.1.一种控制升华生长的碳化硅晶体的氮含量的方法，该方法包括：向升华生长腔室中引入含有氢的环境气体；将碳化硅源粉末在氢环境生长腔室中加热到升华，同时将碳化硅晶种在氢环境生长腔室中加热并然后维持在第二温度，这个温度低于源粉末的温度，在该第二温度下，从源粉末升华的物质凝结在晶种上，将碳化硅源粉末持续加热，直到在晶种上生长了所希望数量的碳化硅晶体，同时，通过控制生长腔室环境气氛中的氢浓度，减少引入到生长中碳化硅晶体中的氮的量。.

中国科技资讯网
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