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.. 中国专利代理(香港)有限公司. 代.. 理.. 人：. 张雪梅;梁 永
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. 摘要 .
.一种具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。该半导体装置包含提供于衬底上并输出具有正确频率的信号的PLL电路。通过在衬底上提供这种PLL电路，可以获得具有强大功能、多功能、和高附加值的半导体装置。
. 主权项 .
.1.一种半导体装置，包含 低电势电源； 高电势电源；以及 衬底上的电压控制振荡器，该电压控制振荡器电路包含： 第一电路，包含第一N型薄膜晶体管和第一P型薄膜晶体管； 第二电路，包含第二N型薄膜晶体管； 第三电路，包含第二P型薄膜晶体管；以及 第四电路，包含第三N型薄膜晶体管和第三P型薄膜晶体管， 其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一， 其中第一N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二N型薄膜晶体管的源极和漏极之一， 其中第一P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到第二P型薄膜晶体管的源极和漏极之一， 其中第三N型薄膜晶体管的源极和漏极之一连接到第三P型薄膜晶体管的源极和漏极之一， 其中第二N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三N型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到低电势电源， 其中第二P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个以及第三P型薄膜晶体管的源极和漏极中另一个连接到高电势电源， 其中第二N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压， 其中第三N型薄膜晶体管的阈值电压低于第一N型薄膜晶体管的阈值电压， 其中第一信号输入到第二N型薄膜晶体管的栅极和第三N型薄膜晶体管的栅极，以及 其中从第一N型薄膜晶体管的源极和漏极之一以及第一P型薄膜晶体管的源极和漏极之一输出第二信号。.
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