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/102638 英 进入国家日期：. 2006.01.04
专利 代理 机构：.. 中国专利代理(香港)有限公司. 代.. 理.. 人：. 杨 凯;张志醒
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. 摘要 .
.提供了一种用于对晶片上的一层进行等离子体蚀刻的装置。提供了一种电容耦合加工室。提供气体源。在加工室中提供第一和第二电极。第一射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个，其中第一射频电源提供射频功率。第二射频电源电连接到第一和第二电极中的至少一个。第一调制控制器连接到第一射频电源，提供第一射频电源的控制调制。
. 主权项 .
.1.一种用于对晶片上的层进行等离子蚀刻的装置，包括： 电容耦合加工室； 气体源，与所述电容耦合加工室流体连接； 第一电极，在所述加工室中； 第二电极，与所述第一电极分隔开并与之相对； 第一射频电源，电连接到所述第一和第二电极中的至少一个，其中所述第一射频电源提供150kHz和10MHz之间的射频功率； 第二射频电源，电连接到所述第一和第二电极中的至少一个，其中所述第二射频电源提供12MHz和200MHz之间的射频功率；以及 第一调制控制器，连接到所述第一射频电源，在1kHz到100kHz 之间的频率提供所述第一射频电源的控制调制。.
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中国科技资讯网
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