适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路<%=id%>

：. 2004-04-08 PCT/US2004/010991
国. 际. 公. 布：. 2004-10-28 WO2004/093090 英进入国家日期：. 2005.11.16
专利代理机构：.. 北京律盟知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 刘国伟
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. 摘要　.
.在一非易失性存储器中，用来区分由负阈电压表征的数据状态与由正阈电压表征的数据状态的读取参数针对存储器的操作条件得到补偿，而非硬接线至地电位。在一实例性实施例中，对最低阈值高于地电位的数据状态的读取参数进行温度补偿，以反映所述读取参数两侧上存储元件群体的偏移。根据另一个方面，提供一种可利用操作条件经补偿的检测参数的擦除方法。由于所述检测参数不再固定在对应于0伏特的值，而是根据操作条件偏移，因此甚至在降低的工作电压下也可为各种擦除验证电平提供足够的余量。
. 主权项　.
.1、一种存储器，其包括：一非易失性数据存储元件，其能够存储一由一负阈电压表征的第一数据状态及一个或多个由一正阈电压表征的第二数据状态；及可连接至所述数据存储元件的检测电路，其可区分所述存储元件的所述数据状态，其包括：一补偿电路，借以根据操作条件对由所述检测电路用来区分所述第一与第二数据状态的参数进行补偿。.
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