在集成电路基板上选择性地形成凸起的方法及相关的结构<%=id%>

2004/075265 英进入国家日期：. 2005.10.18
专利代理机构：.. 中国专利代理(香港)有限公司. 代.. 理.. 人：. 肖春京杨松龄
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. 摘要　.
.在上面有金属层(23)的基板上形成凸起可能包括在此基板上形成阻挡层(27)和在此阻挡层上形成导电凸起(35)。此外，该阻挡层可能处于导电凸起和基板之间，且导电凸起(35)可与金属层(23) 横向偏移。在形成导电凸起之后，可从金属层除掉阻挡层，以使金属层(23)外露，而同时保持处于导电凸起和基板之间的一部分阻挡层。另外还讨论了一些相关的结构。
. 主权项　.
.1.一种在上面有金属层的基板上形成凸起的方法，包括：在包含金属层的基板上形成阻挡层；在阻挡层上形成导电凸起，其中阻挡层处在导电凸起和基板之间，且导电凸起与金属层有偏移；及在形成导电凸起之后，从金属层上去除至少一些阻挡层，从而使金属层外露，同时保留导电凸起和基板之间的一部分阻挡层。.
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