高功率AlInGaN基多芯片发光二极管<%=id%>

O2004/102632 英进入国家日期：. 2005.11.14
专利代理机构：.. 北京市柳沈律师事务所. 代.. 理.. 人：. 李晓舒魏晓刚
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. 摘要　.
.本发明提供一种发光二极管芯片，其具有基本透明的衬底且具有一长宽比，该长宽比定义提供增强的效率和亮度的细长几何形状。本发明还公开了用于形成并运行该发光二极管芯片的方法。
. 主权项　.
.1.一种用于制造发光二极管芯片的方法，该方法包括形成具有定义细长几何形状的长宽比的基本透明衬底。.
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