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03-09-05 PCT/JP2003/011348
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国际公布: . 2005-03-17 WO2005/024950 日
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进入国家日期: . 2005.12.08
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专利代理机构: . 隆天国际知识产权代理有限公司
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代理人: . 高龙鑫 王玉双
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分案申请号: .. 国省代码: . 日本;JP
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颁证日: .. 光盘号: . D0624-1
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摘要:
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具有下部电极(15)、强电介质膜(16)以及上部电极(17)的强电介质电容器由层间绝缘膜(18)覆盖。下部电极(15)一端被加工成梳齿状，为了与其残存部匹配，在层间绝缘膜(18)上形成有多个接触孔(21)。即，在多个接触孔(21)中的至少两个接触孔的下端之间，在下部电极(15)上设置有间隙(切口)。并且，经由接触孔(21)与下部电极(15)连接的布线(25) 形成在层间绝缘膜(18)上。
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主权项:
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1.一种半导体装置，具有： 强电介质电容器，其具有下部电极、强电介质膜以及上部电极； 层间绝缘膜，其形成在上述强电介质电容器上，相对于上述下部电极形成有多个接触孔； 布线，其形成在上述层间绝缘膜上，经由上述接触孔而与上述下部电极连接， 其特征在于， 在上述多个接触孔中的至少两个接触孔的下端之间，在上述下部电极上设置有间隙。.
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