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产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 余 刚
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. 摘要 .
.通过大马士革工艺形成用于CMOS图像传感器的具有高介电常数的栅绝缘层。栅电极层上的硅化物层既在像素区中又在外围电路区中形成，而源/漏区上的硅化物层只在外围电路区中形成。
. 主权项 .
.1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括以下步骤： 在半导体衬底上利用栅绝缘层和假栅电极层形成假栅极堆； 在所述假栅极堆的至少一个侧壁上形成栅隔离物层； 通过利用所述假栅极堆和所述栅隔离物层作为注入掩模的离子注入处理，在所述半导体衬底上形成源/漏区； 去除所述假栅极堆，以暴露所述半导体衬底的一部分表面； 在所述半导体衬底的暴露表面上形成具有高介电常数的绝缘层； 在所述具有高介电常数的绝缘层上形成栅电极层； 在所述半导体衬底的其上具有所述栅电极层的整个表面上顺序地形成衬里层和假金属前介电层； 通过平坦化处理部分地去除所述假金属前介电层和所述衬里层，以暴露所述栅电极层的表面； 通过使用掩模层图样覆盖像素区，顺序地去除外围电路区中的所述假金属前介电层和所述衬里层； 通过硅化处理，在所述像素区中的所述栅电极层上以及在所述外围电路区中的所述栅电极层和所述源/漏区上形成硅化物层；以及 去除残留在所述像素区中的所述假金属前介电层和所述衬里层。.
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