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国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 北京纪凯知识产权代理有限公司. 代.. 理.. 人：. 龙 淳
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. 摘要 .
.本发明提供一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其包含：在不装载被处理基板的状态下，对反应室内的部件实施预处理的工序；接着，在反应室内，在被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。预处理将含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体供给到反应室内，同时，将反应室内设定为第一温度和第一压力。
. 主权项 .
.1.一种在反应室内、在被处理基板上形成氧氮化硅膜的半导体处理用的成膜方法，其特征在于，具备： 在不装载所述被处理基板的状态下，对所述反应室内的部件实施预处理的工序，在此，向所述反应室内供给含有氮化气体或氧氮化气体的预处理气体，同时，将所述反应室内设定为第一温度和第一压力；和 接着，将所述被处理基板装载到所述反应室内进行成膜处理，由此在所述被处理基板上形成氧氮化硅膜的工序。.
中国科技资讯网
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