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高桥邦方;北畠真;山下贤哉;内田正雄;楠本修;宫永良子. 国. 际 申 请：. 2005-01-28 PCT/JP2005/001240
国. 际. 公. 布：. 2005-08-18 WO2005/076327 日 进入国家日期：. 2005.12.06
专利 代理 机构：.. 中科专利商标代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 汪惠民
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. 摘要 .
.半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。
. 主权项 .
.1.一种碳化硅半导体元件的制造方法，其特征在于：包括： 向碳化硅层注入杂质离子的工序(a)， 通过加热所述碳化硅层在所述碳化硅层表面上形成碳层的工序(b)， 以及所述工序(b)之后，在与所述工序(b)相比温度更高的气体环境下对所述碳化硅层进行活化退火处理的工序(c)。. 网
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