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2 英 进入国家日期：. 2005.11.14
专利 代理 机构：.. 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所. 代.. 理.. 人：. 杜日新
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. 摘要 .
.图3中的装置(60)具有结(86)，各结有横向部分(90)和从此横向部分朝表面(12)延伸的第二部分(92)。横向部分(90)如图3 所示大致是沿与表面(12)平行的平面形成。第二部分(92)包括与平面化工艺有关的扩散前沿的特征弧形边缘。由于区域(80与82)各具有不同导电型的较高净掺杂浓度，各横结向部分(90)包括较深进到层(10)内的子区(96)。与结(86)的其他部分比较，上述子区(96) 的特征是具有较低的击穿电压，使得ESD电流开始时是沿垂50而不是沿横向导引。
. 主权项 .
.1.一种半导体产品，它包括沿第一电导型的半导体衬底的平表面构造的装置，以提供静电放电保护，此装置包括： 第二导电型的第一与第二相分开的扩散区，每个区沿衬底表面形成，延伸到衬底内形成pn结，这些结中之一具有相对于平行于衬底表面平行的平面延伸的横向部分和从此横向部分朝衬底表面延伸的第二部分； 在此横向部分中的具有比该第二部分基本低的击穿电压的一个充分大的区域，使得当通过此pn结导电时，通过该横向部分的最大电流密度大于通过该第二部分的最大电流密度。.
中国科技资讯网
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