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......... 址：. 韩国京畿道
发 明 (设计)人：. 朴钟撤;金东贤;权五益;赵慧珍. 国. 际 申 请：..
国. 际. 公. 布：.. 进入国家日期：..
专利 代理 机构：.. 中原信达知识产权代理有限责任公司. 代.. 理.. 人：. 谷惠敏 杨本良
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. 摘要 .
.用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
. 主权项 .
.1.一种喷头，用于向在反应室内的处理区域供给反应气体，其特征在于：所述喷头包括： 顶板，它具有引入从外源向反应室供给的反应气体的气体口； 面板，它具有多个通孔，相对处理区域设置； 第一挡板，它具有多个通孔，设置在顶板和面板之间； 第二挡板，它具有多个通孔，设置在第一挡板和面板之间，第二挡板具有顶表面，它限定在第一和第二挡板之间形成反应气体横向流动通道的间隙； 多个压电元件，它们设置在第二挡板上，用于控制通过所述间隙的反应气体量；和 电源单元，用于向多个压电晶片的每个供电压。.
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