非挥发性半导体存储器件<%=id%>

源电压（ＶＣＣ）的第一ＮＭＯＳ晶体管和一连接到该第一电源电压（ＶＣＣ）的栅极的控制信号（／ＥＲ）之间设有一个第二ＮＭＯＳ晶体管。该第二ＮＭＯＳ晶体管的源极被输入该控制信号（／ＥＲ）并且其漏极与该第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极相连接。该第一ＮＭＯＳ晶体管并联设置一ＰＭＯＳ晶体管。一由所述ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ晶体管构成的传输栅极驱动该控制栅极（ＷＬ）。

[权项] 一种非挥发性半导体存储器件，其特征在于其包括：　　　　存储单元晶体管，每个存储单元晶体管都具有一浮动栅极和一控制栅极（ＷＬ）；　　　　其中所述存储单元晶体管的控制栅极（ＷＬ）根据一操作状态在其选定时，接受一第一电源电压（ＶＣＣ）和一第二电源电压（ＶＰＰ），该第二电源电压（ＶＰＰ）高于所述第一电源电压，以及　　　　其中一第一ＮＭＯＳ晶体管被设置于第二ＮＭＯＳ晶体管和控制信号（／ＥＲ）之间，所述第一ＮＭＯＳ的源极连接到，控制信号（／ＥＲ）用于控制一将所述控制栅极（ＷＬ）驱动到所述第一电源电压（ＶＣＣ）的所述第二ＮＭＯＳ晶体管，所述第一ＮＭＯＳ晶体管的漏极连接到所述第二ＮＭＯＳ晶体管的栅极，并且所述第一ＮＭＯＳ晶体管的栅极连接到所述第一电源电压（ＶＣＣ），一ＰＭＯＳ晶体管与所述第二ＮＭＯＳ晶体管并联设置，并且所述控制栅极（ＷＬ）被一包括所述第二ＮＭＯＳ晶体管和所述ＰＭＯＳ晶体管的传输栅极驱动。

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