曝光掩模的制造方法及其应用<%=id%>

BR>国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：王以平
摘要
　提供有效的曝光掩模的制造方法、掩模基板信息生成方法、半导体装置的制造方法、掩模基板、曝光掩模及服务器，可以解决在将掩模基板吸附到晶片曝光装置的掩模台后掩模基板的平整度恶化而引起晶片曝光装置制品成品率低的问题。包括对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状及吸附到曝光装置的掩模台前后的主面的平整度；制备在吸附到曝光装置的掩模台之前后都具有平整度良好的表面形状的掩模基板；在此掩模基板上形成所希望的图形而生成曝光掩模。
主权项
　权利要求书 1.一种曝光掩模的制造方法，其特征在于包括：对多个掩模基板的每一个，取得表示主面的表面形状的第一信息和表示吸附到曝光装置的掩模台前后的上述主面的平整度的第二信息的工序；作成上述各掩模基板和上述第一信息和上述第二信息的对应关系的工序；从作成的对应关系中选择表示所希望的平整度的第二信息，将具有与所选择的此第二信息有着上述对应关系的第一信息所表示的表面形状相同的表面形状的掩模基板，以与上述多个掩模基板有别的方式进行另外制备的工序；以及在制备的此掩模基板上形成所希望的图形的工序。

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