制造半导体器件的方法<%=id%>

低、波动被抑制的TFT，电子设备配备有该TFT。基础绝缘膜和非晶半导体膜之间的膜淀积温度被设定为基本相同，以改善半导体膜的平整度。然后，进行激光照射。
主权项
　权利要求书 1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在绝缘表面上形成基础绝缘膜；在基础绝缘膜上形成非晶半导体膜；以及用激光照射非晶半导体膜以形成具有结晶结构的半导体膜，其中基础绝缘膜的膜淀积温度与非晶半导体膜的膜淀积温度相同。

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