薄膜,平面型声音变换器以及平面型薄膜<%=id%>

颁证日：
优先权： 2001.10.4 JP 308188/2001;2002.6.13 JP 172521/2002
申请(专利权)人：株式会社F
地址：日本东京都
发明 (设计)人：五月女弘海;宫崎俊郁
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：吴磊
摘要
　在一个薄膜上设置第一导体和第二导体。第一和第二导体与在彼此相邻的永磁铁M的北极和南极之间形成的磁力线相交。当对导体通电时，来自磁场的力作用于电流的方向大致垂直于薄膜的表面。因此，薄膜能够沿垂直于薄膜表面的方向振动。导体的宽度为1000μm-2000μm。这样，与现有技术相比，可极大地减小由蚀刻引起的宽度上的相对误差，而且使蚀刻更易于进行。此外，导体以之字形排列。由于导体不呈螺旋形，因此无需像传统产品那样设置大量的通孔。
主权项
　权利要求书 1.一种用于平面型声音变换器上的薄膜，所述声音变换器设置有多个沿第一方向和与第一方向相交的第二方向延伸的磁铁，而且相邻的磁铁分别具有互不相同的磁极，所述薄膜包括：一个可面朝磁铁安装的平面形薄膜主体；以及一个设置在薄膜主体上的导体，该导体与在相邻磁铁的北极和南极之间形成的磁场相交，而且所述导体以小于360°的角度设置在每个磁铁的周边周围。

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