用于场发射阴极中动态电子束形状修正的分段栅极驱动器<%=id%>

颁证日：
优先权： 1999.12.31 US 09/476,051
申请(专利权)人：尖端设备公司
地址：美国得克萨斯州
发明 (设计)人：基思·D·贾米森;唐纳德·E·帕特森
国际申请： CT/US00/35485 2000.12.28
国际公布： WO01/50491 英 2001.7.12
进入国家日期： 2002.06.21
专利代理机构：北京市柳沈律师事务所
代理人：李晓舒;魏晓刚
摘要
　本发明公开了一种用于电子束形状的动态调整的场发射阴极。通过将栅极场发射阴极的栅极电极(17)分段、并独立地驱动不同的栅极段来形成所需的电子束形状，电子束形状调整得以完成。随着电子束被偏转，栅极段可以导通和截止，这允许动态调整电子束的像差。聚焦透镜(32)可以设置在栅极阴极上，以产生平行电子束。此外，可以制造中空阴极来将电子束中的空间电荷的排斥减至最小。
主权项
　权利要求书 1.一种场发射阴极，包括：管芯，该管芯具有表面，并提供自该表面向外延伸的微尖端凸起的阵列；与该阵列邻接的第一介电层；多个栅极电极，该栅极电极自第一介电层向外延伸，并环绕每个微尖端凸起且与之隔离，以在电压值可变的电压施加到栅极电极上时影响来自微尖端的电子束的电流；以及到栅极电极上的电连线。

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