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分 类 号：
H01L33/00
颁 证 日：
优 先 权：
1998.9.16 US 09/154,363
申请(专利权)人：
克里公司
地 址：
美国北卡罗莱纳
发 明 (设计)人：
K·M·多佛斯派克;J·A·埃德蒙
国 际 申 请：
CT/US99/21362 1999.9.16
国 际 公 布：
WO00/21144 英 2000.4.13
进入国家日期：
2001.04.17
专利 代理 机构：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代 理 人：
龙传红
摘要
公开了一种能发射电磁波谱中红光、绿光、蓝光、紫光和紫外光部分的垂直结构发光二极管。所述发光二极管包括导电的碳化硅衬底、氮化镓量子阱、在衬底和量子阱之间的导电缓冲层、以及在量子阱每个表面上的各自未掺杂氮化镓层和在垂直结构方向上的欧姆性触点。
主权项
权利要求书
1.一种垂直结构发光二极管，其能发射出电磁波谱中的红光、绿光、
蓝光、紫光和紫外光部分，所述发光二极管包括：
导电的碳化硅衬底；
InGaN量子阱；
位于所述衬底和所述量子阱之间的导电缓冲层；以及
在所述量子阱每个表面上的各自的未掺杂氮化镓层；
在垂直结构方向上的欧姆性触点。
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