具有数据读出电流调节功能的薄膜磁性体存储器<%=id%>

分类号： G11C11/15
颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 329338/2001
申请(专利权)人：三菱电机株式会社
地址：日本东京都
发明 (设计)人：日高秀人
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
代理人：刘宗杰;叶恺东
摘要
　恒定电流供给电路(70)生成与控制电压(Vctr)对应的恒定电流(I(Read))。根据恒定电流(I(Read))来设定在数据读出时通过构成存储单元的隧道磁阻元件的数据读出电流。恒定电流供给电路(70)包含：根据外部输入生成能调整的基准电压(Vrs)的电压调整电路(100)；根据基准电压(Vrs)生成恒定电流(I(Read))的电流源(104)；以及在通常工作时将基准电压(Vrs)作为控制电压(Vctn)传递给电流源(104)用的电压切换电路(103)。
主权项
　权利要求书 1.一种薄膜磁性体存储器，其特征在于：具备：分别进行数据存储的多个存储单元；以及分别在上述多个存储单元的各个规定区划中配置的多条数据线，各上述存储单元包含：磁存储部，在与存储数据的电平对应的方向上被磁化，具有随磁化方向而不同的电阻；以及存取元件，在上述多条数据线中的对应的1条与第1电压之间与上述磁存储部串联地导电性地结合，至少在被选择为数据读出对象的选择存储单元中被接通，还具备：选择门，用来使上述多条数据线中的与上述选择存储单元对应的数据线与内部节点导电性地连接；以及数据读出电路，用来读出上述选择存储单元的上述存储数据，上述数据读出电路包含：恒定电流电路，导电性地结合在第2电压与上述内部节点之间，用来根据外部输入对上述内部节点供给与能以非易失性的方式调整的控制电压对应的恒定电流；以及电压放大电路，根据上述内部节点的电压生成读出数据。

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