半导体存储装置<%=id%>

分类号： G11C11/34;H01L27/10
颁证日：
优先权： 2001.10.26 JP 2001－329005
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社
地址：日本东京
发明 (设计)人：水垣浩一
国际申请：
国际公布：
进入国家日期：
专利代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司
代理人：余刚
摘要
　本发明提供了一种半导体存储装置。本发明涉及一种即使在外部提供的地址处发生地址偏离，也能够生成适当的ATD信号的技术。设定ATD信号的从上升沿到下降沿的H电平时间周期(即ATD信号的脉冲宽度)不小于预先设定的可允许地址偏离范围，同时又不大于从ATD信号上升时，即刷新操作开始时，到刷新操作结束之间的时间。
主权项
　权利要求书 1. 一种半导体存储装置，其特征在于包括：具有动态存储单元的存储单元阵列；地址转移检测模块，所述地址转移检测模块用于检测外部提供的地址是否有至少一位变化并生成地址转移检测信号，所述地址转移检测模块响应在第一状态下检测的地址变化转换为第二状态，并在转换为第二状态后且经过预定的基准时间，又转换为所述第一状态；刷新控制模块，所述刷新控制模块根据所述地址转移检测信号从所述第一状态转换到所述第二状态的时刻，对于所述存储单元阵列中所希望的存储单元开始刷新操作；以及外部存取控制模块，所述外部存取控制模块根据所述地址转移检测信号从所述第二状态转换到所述第一状态的时刻或者根据所述刷新操作的结束时刻，对所述存储单元阵列中与由外部提供的地址所指定的存储单元开始外部存取操作；其中，所述基准时间被设定为，不小于相对于所述地址所预先设定的可允许地址偏离范围，同时又不大于从所述地址转移检测信号转换到所述第二状态和所述刷新操作结束之间的时间。

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